Полное описание
> Moser, M. Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern : Diss. / M.Moser. - Stuttgart, 1994. - 134 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.124-131
ГРНТИ | УДК | |
47.35.31 | 621.373.826.038.825.5.002(043) |
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые -- Производство
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/18654)>
Шифр в сводном ЭК: f20e60a2c6f2e706d869a056e23fe17e
Заказ фрагмента документа ₽