Полное описание

Цыганов, Ю. С. On the nature of incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector / Ю.С.Цыганов,А.Н.Поляков. - Dubna : [s. n.], 1994. - 4 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-94-346). - 305 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.5(04)

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Кл.слова (ненормированные): ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
Доп. точки доступа:
Поляков, А.Н.
Polyakov A.N.
Tsyganov Yu.S.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Е7-94-346)

Шифр в сводном ЭК: e973688e4855ddafae91d2a33b2129c6

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽