Полное описание
> Сизов, В. С. Особенности формирования InGaN(In, Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. С. Сизов. - 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-23. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33.33 | 621.383.52-047.84(043) |
Аннотация: Исследование оптических, транспортных и структурных свойств квантоворазмерных гетероструктур с активной областью InGaN/(Al, In)GaN различного дизайна, предназначенных для создания эффективных светодиодных приборов видимого диапазона.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-21197)>
Шифр в сводном ЭК: e8b9b5fa0298c2856344348b6e88ed5d
Заказ фрагмента документа ₽