Полное описание
> Seebauer, E. G. Charged semiconductor defects : structure, thermodynamics and diffusion / E. G. Seebauer, M. C. Kratzer ; SpringerLink (Online service). - London : Springer, 2009. - on-line. - (Engineering materials and processes). - URL: http://dx.doi.org/10.1007/978-1-84882-059-3. - ISBN 978-1-84882-059-3. - Текст : электронный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:548.4 |
Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ -- ДИФФУЗИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- СТРУКТУРА -- ТЕРМОДИНАМИКА
Доп. точки доступа:
Kratzer, M.C.
SpringerLink (Online service)
http://dx.doi.org/10.1007/978-1-84882-059-3
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -163176)>
Шифр в сводном ЭК: a3924d9ccc9c472ccbf2ce68efda2d8b
Просмотр издания