Полное описание
>
Моделирование процессов и устройств нанотехнологии / В. А. Тупик, Л. Ю. Аммон, Д. В. Бабичев [и др.].; под редакцией В. А. Тупика ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2017. - 188 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр. в конце гл. - 500 экз. - ISBN 978-5-7629-2306-4. - Текст : непосредственный.ГРНТИ | УДК | |
81.13.30 | 620.3-047.58 |
Рубрики:
Нанотехнологии -- Моделирование
Аннотация: Рассмотрены особенности моделирования процессов нанотехнологии и устройств, реализуемых на их основе, а также некоторые особенности моделирования фрактальных антенн. Особое внимание уделяется процессам зарождения наночастиц и структур и начальным стадиям химических реакций, приводящих к синтезу наноструктур.
Доп. точки доступа:
Тупик, В.А.
Аммон, Л.Ю.
Бабичев, Д.В.
Марголин, В.И.
Чу Чанг Ши
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-17/67098)>
Шифр в сводном ЭК: 72d9d77f89708a856e316e6df3ebfb48
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания