Полное описание
> Патаридзе, З. Г. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / З. Г. Патаридзе. - Новочеркасск, 2003. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 18
ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592-416.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-12510)>
Шифр в сводном ЭК: 620f27b289a8f89b1cfb48f7f2595c63
Заказ фрагмента документа ₽