Полное описание

Писарев, Александр Дмитриевич. Выбор материалов и нанотехнология изготовления комбинированного мемристорно-диодного кроссбара - основы аппаратной реализации нейропроцессора / А. Д. Писарев, А. Н. Бусыгин, А. Н. Бобылев, А. Х. А, Ибрагим [и др.]. - Текст : непосредственный // Тюменский государственный университет. Вестник Тюменского государственного университета. Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика : научное издание. - 2019. - Том 5, N 4. - С. 200-219. - ISSN 2411-7978.

ГРНТИ	УДК
28.23	004.032.26
28.23.37

Рубрики:
Искусственный интеллект -- Моделирование
Нейронные сети -- Применение

Кл.слова (ненормированные): гетеропереход -- диод Зенера -- мемристор -- нанотехнология
Аннотация: Для исследования работы запоминающей и логической матриц нейропроцессора необходимо изготовить лабораторный комбинированный мемристорно-диодный кроссбар, который является основой этих матриц. С этой целью выбраны материалы и нанотехнология изготовления полупроводниковых слоев диода Зенера и мемристого слоя, обеспечивающие оптимальные характеристики диода и мемристоров. Разработанная унифицированная нанотехнология изготовления комбинированного мемристорно-диодного кроссбара позволяет производить сверхбольшие запоминающую и логическую матрицы нейропроцессора на основе одного технологического модуля с реактивным магнетронным распылением.
Доп. точки доступа:
Бусыгин, А. Н.
Бобылев, Андрей Николаевич
Ибрагим, Абдулла Хайдар Абдо
Губин, Андрей Александрович
Удовиченко, Сергей Юрьевич


Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ЧЗХР (1), ХРЦ (1)
Свободны: ЧЗХР (1), ХРЦ (1)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -736710-760385)

Шифр в сводном ЭК: 248623040eb89d0d96c7baeac34a82a3

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽