Полное описание
>
Осипенко, И. А. Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора : учебное пособие / Осипенко И. А. - Ростов-на-Дону : Донской государственный технический университет, 2019. - 54 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/117738.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-7890-1755-5. - Текст : электронный.Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК | |
621.38 |
ББК | |
32.85 |
Кл.слова (ненормированные): MATHCAD -- БИОПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР -- ЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Содержит краткое изложение теории расчёта электрических характеристик многоэмиттерного биполярного транзистора и методику расчёта этих характеристик с помощью системы компьютерной математики MathCAD для проведения практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы». Предназначено для подготовки обучающихся по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника профиль «Светотехника и источники света».
Доп. точки доступа:
Попова, И. Г.
Благин, А. В.
Держатели документа:
Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 117738)>
Шифр в сводном ЭК: c2d307dc8c8975f178dd72cebc54c031
Просмотр издания ЭБС IPR SMART