Полное описание

Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: // Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:20 назв.
ГРНТИ 47.33

Рубрики:
Транзисторы биполярные

Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- НАСЫЩЕНИЕ -- ТРАНЗИСТОР
Доп. точки доступа:
Smithies, S. A.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): 96/133)

Шифр в сводном ЭК: ba7896fe96b173c588d5268c7c5d13de

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽