• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Мейер, Д. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис; пер. с англ. под ред. В. М. Гусева. - М. : Мир, 1973. - 296 с. : ил. - Загл. обл. : Ионное легирование полупроводников. - Библиогр.: с. 288-296 (335 назв.). - Пер. изд. : Ion implantation in semiconductors. Silicon and Germanium / J. Mayer, L. Eriksson, J. Davis. - NY, 1970. - Тираж не указ. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.13.33621.315.592:669.046.516

    Рубрики:
    Полупроводники -- Ионное внедрение

    Доп. точки доступа:
    Эриксон, Л.
    Дэвис, Д.
    Гусев, В.М.\ред.\
    Mayer, J.
    Eriksson, L.
    Davis, J.

    Полный текст


    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/6420)

    Шифр в сводном ЭК: d09c9cbafa34ddb0ba38add46d5701c7



    Заказ фрагмента документа ₽

    Просмотр издания