• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Юрчук, С. Ю. Основы математического моделирования : учеб. пособие / С. Ю. Юрчук ; Нац. исслед. технол. ун-т "МИСиС". Каф. полупроводниковой электроники и физики полупроводников. - М. : МИСИС, 2014. - 107 с. : ил. - Библиогр.: с. 107 (10 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-87623-811-5. - Текст : электронный.
    Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
    Содержание:

    ГРНТИ УДК
    47.33621.382-047.84-047.58
    47.01.77
    ББК
    32.85

    Рубрики:
    Полупроводниковые приборы -- Производство -- Моделирование

    Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗНЫЙ ПРОЦЕСС -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ -- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС -- ЭЛЕКТРОНИКА
    Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
    Доп. точки доступа:
    Национальный исследовательский технологический ун-т "МИСиС". Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников

    Перейти к просмотру издания


    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-14/16650)

    Шифр в сводном ЭК: 1d911164bd420eb5c24fb62653182d06



    Заказ фрагмента документа ₽

    Просмотр издания ЭБС IPR SMART