Полное описание
> Ayers, J. E. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth and characterization / J. E. Ayers. - Boca Raton, Fl [etc.] : Taylor & Francis group, 2007. - 455 p. : il. - Указ.: с. 441-455. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.23 |
Рубрики:
Эпитаксия
Полупроводники
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/27622)>
Шифр в сводном ЭК: 8b79181eea97c38715cc371d3300e3df
Заказ фрагмента документа ₽