Полное описание
> International symposium on advanced gate stack technology (3rd ; 2006 ; Austin(Tx)). Including selected papers from the third IEEE International symposium on advanced gate stack technology (ISAGST) held in Austin, Texas, USA in 2006 / International symposium on advanced gate stack technology (3rd; 2006; Austin(Tx)) ; ed.: H. -H. Tseng, B. H. Lee. - Amsterdam [etc.] : Elsevier, 2008. - 244 p. : ill. - (Microelectronic engineering ; 2008, Vol. 85, Iss. 1). - Библиогр. в конце ст. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.032.27(063) |
Рубрики:
Электроды полупроводниковых приборов -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Tseng, H.-H.\ed.\
Lee, B. H.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): W8956/2008, Vol. 85, Iss. 1)>
Шифр в сводном ЭК: e6b14cc74f7e80d767c10c14099f6514
Заказ фрагмента документа ₽