Полное описание
> Lee, G. Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee. - Hannover, 1992. - 127 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.116-121
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.323(043) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17616)>
Шифр в сводном ЭК: d0e9fc3a64897f82d50f4d309238fb37
Заказ фрагмента документа ₽