Полное описание

Hacke, M. Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage zur Herstellung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und in Silizium vergrabener SiOx-Schichten sowie Charakterisierung dieser Schichtsysteme : Diss. / M.Hacke. - Aachen, 1996. - 195 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.175-186

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Рубрики:
Гетеропереходы

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/26388)

Шифр в сводном ЭК: ff803b0a7dba400cf928b75a1060c43c

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽