Полное описание
> Блохин, А. М. Numerical investigation of the gas dynamic model for charge transport in semiconductors / А. М. Блохин, А. А. Иорданиди, И. З. Меражов. - Новосибирск : [б. и.], 1996. - 50 c. : ил. - (Препринт / Институт математики(Новосибирск) ; 33 май 1996). - 115 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.01.77 | 621.382.001.57(04) |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Моделирование
Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Иорданиди, А.А.
Iohrdanidy A.A.
Меражов, И.З.
Merazhov I.Z.
Blokhin A.M.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/11999/33 май 1996)>
Шифр в сводном ЭК: ed6178c1ed04ccd9494c2e2bda539ffb
Заказ фрагмента документа ₽