Полное описание

Turan, R. Noneguilibrium diffusion of dopants in silicon: numerical solutions of the diffusion eguation, application to redistribution of ion implanted dopants in (111) resrystallized silicon / R.Turan. - Oslo : [s. n.], 1990. - 23 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo ; 90-23). - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.7-8

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.219.3

Рубрики:
Кремний -- Диффузия

Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15656/90-23)

Шифр в сводном ЭК: aaad12f904f3284465b779be9b6f22a7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽