Полное описание

Сизов, В. С. Особенности формирования InGaN(In, Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. С. Сизов. - 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-23. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.52-047.84(043)

Аннотация: Исследование оптических, транспортных и структурных свойств квантоворазмерных гетероструктур с активной областью InGaN/(Al, In)GaN различного дизайна, предназначенных для создания эффективных светодиодных приборов видимого диапазона.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-21197)

Шифр в сводном ЭК: e8b9b5fa0298c2856344348b6e88ed5d

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽