Полное описание
> Цацульников, А. Ф. Строение и свойства глубоких акцепторных центров,создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.Наук:01.04.10 / А. Ф. Цацульников. - СПб., 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 15-17(11,6 назв.).
ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР92-7875)>
Шифр в сводном ЭК: d96b0ade5ae0b34132d611bd90a5eaca
Заказ фрагмента документа ₽