Полное описание

Алтухов, А. А. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2 сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06, 05.11.14 / А.А. Алтухов. - М., 2005. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-25(37 назв.). - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.13.11	621.3.049.76.002(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар05-10132)

Шифр в сводном ЭК: 81f8f024323c0c35835c5d4fdaf20a07

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽