Приложение
для AndroidПолное описание
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. Допущено Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров «Электроника и микроэлектроника» и по направлению подготовки дипломированных специалистов «Электроника и микроэлектроника»
| УДК | |
| 621.315.592 |
| ББК | |
| 32.852я73 |
Рубрики:
Инженерно-технические науки -- Электроника -- Лань
Кл.слова (ненормированные): АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ВАРИСТОРЫ -- ГАЛЬВАНОМЕТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -- КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ЛАЗЕРЫ -- МЕЖДОЛИННЫЙ ПЕРЕХОД -- МИКРОСХЕМЫ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ -- ПРОБОЙ -- ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА -- ТИРИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ФИЗИКА -- ФОТОДИОДЫ -- ФОТОРЕЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ
Аннотация: В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению «Электроника и микроэлектроника».
Доп. точки доступа:
Чиркин, Л. К.
Электронная библиотечная система Лань
Электронная библиотечная система Лань
Электронная библиотечная система Лань
Держатели документа:
ЭБС Лань : 192029, г. Санкт-Петербург, пр-кт Обуховской обороны, д. 70, корпус 2, лит. А, пом. 1-Н, ком. 247 (Шифр в БД-источнике (EBSLAN): RU-LAN-BOOK-284045)
Шифр в сводном ЭК: 774431b725b071060dea1926f01e6baf
Просмотр издания ЭБС Лань
или
Просмотр издания ЭБС Лань
или
Просмотр издания ЭБС Лань