Полное описание

Алтухов, В. И. Моделирование новых свойств реальных кристаллов с дефектами, фазовыми переходами и нанокластерами / В. И. Алтухов, А. Т. Ростова, О. А. Митюгова. - Георгиевск : [б. и.], 2011 (Георгиевск). - 187 с. : ил. - Библиогр.: с. 176-187 (150 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-903132-27-0. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Георгиев. технол. ин-т (фил.), Сев.-Кавк. гос. техн. ун-т

ГРНТИ	УДК
31.15.17	548:536
	548:537

Рубрики:
Кристаллы -- Тепловые свойства
Кристаллы -- Электрические свойства

Аннотация: Изложены новые подходы и методы описания теплопроводности и электрической проводимости кристаллов. Разработаны модели механизмов рассеяния фотонов на точечных дефектах, кластерах, наночастицах в сегнетоэлектриках и широкозонных полупроводниках. Дана классификация температурной зависимости особенностей теплового сопротивления в сегнетоэлектриках.
Доп. точки доступа:
Ростова, А.Т.
Митюгова, О.А.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-11/82287)

Шифр в сводном ЭК: 611b4a648f72a48e00e78e56eaecb14e

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽