Полное описание

Фартушная, В. М. Оптимизация режимов магнетронного осаждения пленок оксидов металлов для устройств функциональной микроэлектроники : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. М. Фартушная. - М., 1996. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 22(9 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.13.11	621.3.049.76.002(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР97-096)

Шифр в сводном ЭК: 4e896ea688897dfa47c2549831c30af2

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽