Полное описание
> Шайблер, Г. Э. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Г. Э. Шайблер. - Новосибирск, 2001. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 16-18
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9:535(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-4258)>
Шифр в сводном ЭК: 29a5eb0e8af8af00a1300de2dfbd19f3
Заказ фрагмента документа ₽