Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Сошников И.П. Исследование закономерностей и особенностей распыления полупроводниковых материалов А В при бомбардировке ионами Ar ,Xe ,N и смесью ионов Ar -I : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / И. П. Сошников, 1996. - 22 с. - Текст : непосредственный.