Алтухов А.А. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2 сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06, 05.11.14 / А.А. Алтухов, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.