Полное описание

Ивкин, А. Н. Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Н. Ивкин. - СПб, 1998. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 16(7 назв.)

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.216.2(043)
47.33	621.315.592.9(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР98-6316)

Шифр в сводном ЭК: f57bf07e1e0effc0aacc29724e13fcbf

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽