• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Гестрин, С. Г. Аналитические модели взаимодействия заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов в кристаллических структурах : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 05.13.18 / С. Г. Гестрин. - Саратов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.: с. 32-35 (36 назв.).

    ГРНТИ УДК
    29.19.11548.4(043)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-5055)

    Шифр в сводном ЭК: de07bea38ffeed6df9e126a2ba4cfa5d



    Заказ фрагмента документа ₽