Полное описание
> Гестрин, С. Г. Аналитические модели взаимодействия заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов в кристаллических структурах : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 05.13.18 / С. Г. Гестрин. - Саратов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 32-35 (36 назв.).
ГРНТИ | УДК | |
29.19.11 | 548.4(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-5055)>
Шифр в сводном ЭК: de07bea38ffeed6df9e126a2ba4cfa5d
Заказ фрагмента документа ₽