Полное описание

Лошкарев, И. Д. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. Д. Лошкарев. - 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-18. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-14631)

Шифр в сводном ЭК: c22fad7d26cf5a8a7f0ffbd6cbec58ef

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽