Полное описание

Фокин, Г. А. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук / Г. А. Фокин. - СПб., 1994. - 14 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: С.-Петербург. гос. техн. ун-т. Библиогр.: с.14(8назв.)

ГРНТИ	УДК
47.35.31	621.373.826.038.825.5(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР95-2416)

Шифр в сводном ЭК: 9b9047d642955b15379197ce8f302d06

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽