Полное описание

Aleiner, I. L. Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor / I.L.Aleiner,P.Clarke,L.I.Glazman. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1996. - 4 p. : 2 l.ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 96/7). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.4

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9

Рубрики:
Гетеропереходы

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Доп. точки доступа:
Clarke, P.
Glazman, L.I.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/96/7)

Шифр в сводном ЭК: 7c68e4592d53a6aa80be001d708041eb

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽