Полное описание

Гутаковский, А. К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин ; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова. - Новосибирск : Параллель, 2016. - 261 с. : ил. - Библиогр. в конце разд. - 300 экз. - ISBN 978-5-98901-185-8. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9

Рубрики:
Гетероструктуры

Аннотация: Аннотация: В монографии представлены результаты исследования классических квантовых гетеросистем методами просвечивающей электронной микроскопии. Рассмотрены возможности современной электронной микроскопии и методическая база для анализа атомного строения дефектов структуры и границ раздела; общие закономерности релаксации напряжений и дефектообразования при гетероэпитаксии и влияние на эти процессы механизмов зарождения и роста пленок на основе элементарных полупроводников Ge, Si, соединений А3В5, А2В6 и их твердых растворов; структурные особенности твердотельных систем пониженной размерности, таких, как сверхрешетки, системы с "квантовыми проволоками", однослойные и многослойные системы с "квантовыми точками".
Доп. точки доступа:
Латышев, А.В.
Чувилин, А.Л.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-16/63516)

Шифр в сводном ЭК: 65dd56e4940a148ccdfa292580574b91

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽