Полное описание
> Пащенко, А. С. Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения / А. С. Пащенко. - 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (13 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
44.41.35 | 621.383.51-03(043) |
Кл.слова (ненормированные): МАТЕРИАЛЫ -- СОЛНЕЧНЫЕ БАТАРЕИ -- ФОТОВОЛЬТАИКА
Аннотация: Разработка физических основ получения методом ионно-лучевого осаждения фотоактивных материалов и структур на основе Si и InAs и исследование их свойств.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-10345)>
Шифр в сводном ЭК: 414274e53079b643628db3dbaf1a18fc
Заказ фрагмента документа ₽