Полное описание

Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors : submitted to Nucl.instrum.meth.,A. / T.Matsushita,C.Fukunaga,H.Ikeda,Y.Saitoh. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-195). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.8-9

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.5

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые -- Влияние ионизирующих излучений

Доп. точки доступа:
Matsushita, T.
Fukunaga, C.
Ikeda, H.
Saitoh, Y.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17226/94-195)

Шифр в сводном ЭК: 3fde5da1d00c0555458b60c76d10feb1

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽