Полное описание

Юзеева, Н. А. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 меньше х 0,6) на подложках GaAs и InP : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Н. А. Юзеева. - 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323(043)

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
Аннотация: Изучение влияния на зонную структуру и подвижности двумерных электронов в НЕМТ-структурах с квантовой ямой InGaAs на подложках GaAs и InP различных параметров НЕМТ-структур, таких как: ширина квантовой ямы, уровень легирования, наличие вставок InAs в квантовой яме и их толщины. Исследование влияния освещения на подвижности двумерных электронов и изучение замороженной фотопроводимости в НЕМТ-структурах с квантовой ямой InGaAs.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-5808)

Шифр в сводном ЭК: 2929f6568f8deed2bd7d4b8ffc6e317a

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽