Полное описание

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - . - URL: https://www.iprbookshop.ru/45076.html (дата обращения: 11.04.2023). - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - Текст : электронный.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1

Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	621.382

	ББК
	32.85

Кл.слова (ненормированные): АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР -- ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп. точки доступа:
Раков, Ю. Н.

Перейти к просмотру издания

Учебная литература:

Держатели документа:
Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 45076)

Шифр в сводном ЭК: 1071e279820ae908051bc40ee606f361

Просмотр издания ЭБС IPR SMART