• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Интеграционные проекты СО РАН / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Изд-во Сиб. отд-ния Рос. АН., 20 - . - В надзаг. также: Ин-т неорган. химии им. А. В. Николаева, Иркут. ин-т химии им. А. Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова... - Текст : непосредственный.
    Вып. 37 : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова. - 2013. - 175 с. : ил. - Библиогр.: с. 156-171. - 330 экз. - ISBN 978-5-7692-1272-7

    Содержание:

    ГРНТИ УДК
    47.13.07621.384-022.532-047.84
    ББК
    24.5

    Рубрики:
    Наноэлектронные устройства -- Производство

    Аннотация: Представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений. Рассмотрены результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики).
    Доп. точки доступа:
    Кузнецов, Ф.А.
    Воронков, М.Г.
    Борисов, В.О.
    Игуменов, И.К.
    Каичев, В.В.
    Смирнова, Т.П.\ред.\
    Российская академия наук. Сибирское отделение
    Экз-ры полностью 0f4ac38e6d76d0ceff505cf67750ae84
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)

    http://znanium.com/catalog/document/?pid=924967&id=111610


    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/18015/37)

    Шифр в сводном ЭК: 0f4ac38e6d76d0ceff505cf67750ae84



    Заказ фрагмента документа ₽

    Просмотр издания