Полное описание
> Structure-phase transformation under ion implantation into GaAs / A.N.Akimov,L.A.Vlasukova,G.A.Gusakov и др. - Dubna : [s. n.], 1997. - 10 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е17-97-42). - 320 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:536.42(04) |
Рубрики:
Галлий, арсениды -- Превращения фазовые
Доп. точки доступа:
Akimov, A.N.
Vlasukova, L.A.
Gusakov, G.A.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Е17-97-42)>
Шифр в сводном ЭК: 03b133b22958bcbcc310946a9086124d
Заказ фрагмента документа ₽