Приложение
для AndroidПолное описание
Strumpler, R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium / R. Strumpler. - J@:ulich : [s. n.], 1989. - 105 S. : Ill. - (Berichte / Kernforschungsanlage(Julich), ISSN 0366-0885 ; N2324). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.98-105
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592-416.002(043) |
Рубрики:
Лантан, фториды, пленки -- Производство
Галлий, арсениды, пленки -- Производство
Кл.слова (ненормированные): ГАЛЛИЙ -- ЛАНТАН -- ГАЛЛИЙ -- ЛАНТАН
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/2657/2324)
Шифр в сводном ЭК: 9dbb5bb1b2b126acf7484832d0961778
Fischer J. Ausscheidungsverhalten einer ferritischen FeNiAl-Legierung unter Bestrahlung / J. Fischer, 1990. - 67 S. - Текст : непосредственный.Heinzelmann M. Kritische Anmerkungen zur Neufassung der Strahlenschutzverordnung / M. Heinzelmann, 1990. - 15 S. - Текст : непосредственный.Bauer T. Exergookonomische Untersuchung von Prozessen zur Methanolherstellung aus Erdgas unter Verwendung einer Flussigphasensynthese / T. Bauer, 1991. - 178 S. - Текст : непосредственный.Drittler B.H. KKR-Greensche Funktionsmethode fur das volle Zellpotential / B. H. Drittler, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный.Berechnung von Kraften und Gitterrelaxationen fur Punktdefekte in Metallen / K. Abraham, B. Drittler, R. Zeller, P. H. Dederichs, 1991. - 94 S. - Текст : непосредственный.Roessler K. Probenpraparation und Analyse von Kometen-Analogkorpern : сборник научных трудов / K. Roessler, 1991. - 65 S. - Текст : непосредственный.Bar K.K.O. Bruchmechanische Untersuchungen zum Risswiderstandsverhalten bei nichtumwandlungsverstarten Keramiken am Beispiel von Aluminiumoxid / K. K.O. Bar, G. Kleist, H. Nickel, 1991. - 137 S. - Текст : непосредственный.Breuer U. Temperaturabhangige Eigenschaften von Festkorperoberfl Aachen: Oberflachenstruktur und Anisotropie der Oberflachenenergie / U. Breuer, 1991. - 150 S. - Текст : непосредственный.Schroeder H. Effect of helium on creep and fatigue (MAT 11) : доклад, тезисы доклада / H. Schroeder, 1991. - 43 p. - Текст : непосредственный.Kroth K. Radiolytische Bildung von Wasserstoff in Proben von homogen zementiertem Feedklarschlamm / K. Kroth, H. Lammertz, 1990. - 44 S. - Текст : непосредственный.Condon J.B. Preparation and properties of lithium hydride / J. B. Condon, 1991. - 47 p. - Текст : непосредственный.Waidmann G. Density limits and evolution of disruptions on TEXTOR / G. Waidmann, G. Kuang, 1991. - 11,19 p. p. - Текст : непосредственный.Schnare H. Gestaltsanderungen im Kern 180 Os bei hohen Drehimpulsen / H. Schnare, 1991. - 134 S. - Текст : непосредственный.Erarbeitung einer gefugeabhangigen Beschreibung des Hochtemperaturverformungsverhaltens des Turbinenschaufelwerkstoffes IN 738 LC / B. Londschien, H. J. Penkalla, F. Schubert, H. Nickel, 1991. - III,122 S. S. - Текст : непосредственный.Schafer B.-J. Einfluss dunner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuitat am Ge/GaAs(110)-Halbleiterkontakt / B.-J. Schafer, 1990. - 98 S. - Текст : непосредственный. Zhang Y. RF-SQUIDs aus oxydkeramischen Supraleitern / Y. Zhang, 1990. - 110 S. - Текст : непосредственный.Lemke H. Entwicklung von Sonden fur spezielle Verfahren der Rastertunnel- und Rasterkraftmikroskopie / H. Lemke, 1990. - 77,A10 S. S. - Текст : непосредственный.Otten J.C. Auslegungsvorschlage fur Deckenreflektoren mittelgrosser Hochtemperaturreaktoren am Beispiel des HTR-500 / J. C. Otten, 1991. - 68 S. - Текст : непосредственный.Schmitz H. Vergleichende Untersuchung von synchronen und asynchronen Algorithmen und deren Implementierung auf CRAY-Mehrprozessorsystemen / H. Schmitz, 1991. - 83 S. - Текст : непосредственный.Heimbach H. Untersuchungen zur Realisierbarkeit eines Laserionisations-Massenspektrometers auf der Grundlage eines MAT-SM1B Gerates / H. Heimbach, 1991. - 61 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Strumpler R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium / R. Strumpler, 1989. - 105 S. - Текст : непосредственный.Грунский Д.И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Д. И. Грунский, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л. / А. А. Новиков, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный.Брунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. Н. Брунков, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.13 / А. Л. Каблуков, 2003. - 26 c. - Текст : непосредственный.Сердобинцев А.А. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сердобинцев, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / У. М. Кулиш, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Субашиева Е.А. Численное моделирование течения и роста AIGаAs/GаAs и InGaP/GaAs слоевв горизонтальном газоэпитаксиальном реакторе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.02.05 / Е. А. Субашиева, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Bergmann R.B. Siliziumschichten auf Siliziumdioxid mittels Flussigphasenepitaxie-Herstellung und Charakterisierung von Schichtsystemen : Diss. / R.B.Bergmann, 1991. - 132 S. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов, 1999. - 28 с. - Текст : непосредственный.Коробцов В.В. Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / В. В. Коробцов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Патаридзе З.Г. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / З. Г. Патаридзе, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Добрынин А.В. Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. В. Добрынин, 2001. - 34 с. - Текст : непосредственный.Семягин Б.Р. Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Б. Р. Семягин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ли Цзень Фень.Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.00.02, 01.04.04 / Ли Цзень Фень, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ардышев М.В. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Ардышев, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шерматов Нурмахмад.Разработка плазмохимической технологии получения катализаторов и ассимиляция гидрида алюминия при синтезе полупроводниковых пленок и порошков : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 02.00.04 / Шерматов Нурмахмад, 2004. - 41 с. - Текст : непосредственный.Гришко А.С. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4 - H2 на подложках цилиндрической формы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. С. Гришко, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽