Приложение
для AndroidПолное описание
Валдайские записки. - Москва : Валдай, 20 - . - Описано по обл., без тит. л... - Текст (визуальный) : непосредственный.
№ 126 : Полупроводниковая реиндустриализация США: что это значит для мира / Анастасия Толстухина. - 2025. - 23 с. : ил. - Библиогр. в подстроч. примеч. - Тираж не указ. - ISBN 978-5-907845-35-0
На обл.: ru.valdaiclub.com, #valdaiclub.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592-047.84 |
Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Соединенные Штаты Америки -- Экономическое положение
Кл.слова (ненормированные): ИНВЕСТИЦИИ -- МИКРОСХЕМЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКА -- США -- ЧИПЫ
Аннотация: От того, насколько успешно будет развиваться полупроводниковая промышленность в США, будет зависеть и будущая расстановка сил основных игроков на мировой арене -технологическая и геополитическая.
Доп. точки доступа:
"Валдай", международный дискуссионный клуб(Москва)
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/22170/126)
Шифр в сводном ЭК: cc075abf0d94ea39f6748e4ba5df9426
Валдайские записки. № 119 : Технологический суверенитет Евросоюза и его границы / Анастасия Толстухина, 2022. - 19 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Рабочая тетрадь. № 71 : Big Tech vs регуляторы: долгосрочный глобальный тренд / А. Ю. Толстухина, К. Н. Матвеенков, 2022. - 55 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Толстухина, Анастасия Юрьевна. Технологическая политика США в условиях соперничества с Китаем / Анастасия Толстухина, 2023. - 60 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Валдайские записки. № 126 : Полупроводниковая реиндустриализация США: что это значит для мира / Анастасия Толстухина, 2025. - 23 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Силаев Н. Возвращение Старого Света и будущее международного порядка в Евразии / Н. Силаев, А. Сушенцов, 2018. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жизнь в осыпающемся мире / О. Барабанов [и др.], 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Энтина Е. Куда идут Балканы? Новая парадигма сотрудничества для России / Е. Энтина, А. Пивоваренко, Д. Новакович, 2018. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев И. Разбалансированная Европа и новый порядок на пространстве ОБСЕ / И. Тимофеев, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Возвышение Римланда: новая политическая география и стратегическая культура / Т. Бордачёв [и др.], 2018. - 36 с. - Текст : непосредственный.Вперёд к Великому океану - 6: люди, история, идеология, образование. Путь к себе / Л. Е. Бляхер [и др.; Караганов С. А., ответственный редактор], 2018. - 64 с. - Текст : непосредственный.Лисоволик Я. БРИКС и BEAMS: кирпичи и мегаблоки новой глобальной экономической архитектуры / Я. Лисоволик, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Барабанов О.Н. Глобальные экологические идеологии: можно ли разрешить конфликт человека и природы? / О. Н. Барабанов, Е. В. Саворская, 2018. - 28 с. - Текст : непосредственный.Россия и Вьетнам в новой Азии / А. П. Цветов, В. Б. Кашин, А. С. Королев, А. С. Пятачкова, 2019. - 20 с. - Текст : непосредственный.Евразийская экономическая интеграция: между абсолютными и относительными выгодами / Т. В. Бордачёв, А. Б. Лихачёва, А. С. Королёв [и др.], 2019. - 20 с. - Текст : непосредственный.К Великому океану: хроника поворота на Восток : сборник докладов Валдайского клуба / Валдай, международный дискуссионный клуб, 2019. - 351 с. - Текст : непосредственный.Возвращение России в Африку: стратегия и перспективы / Вадим Балытников, Олег Барабанов, Андрей Емельянов [и др.], 2019. - 36 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев И.Н. Азия под огнём санкций США / Иван Тимофеев, 2019. - 24 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев И.Н. Политика санкций после COVID-19: стоит ли ждать санкционных эпидемий? / Иван Тимофеев, 2020. - 32 с. - Текст : непосредственный.Не одичать в "осыпающемся мире" / Олег Барабанов, Тимофей Бордачёв, Ярослав Лисоволик [и др.], 2020. - 24 с. - Текст : непосредственный.Барабанов, Олег Николаевич. Не забудем, но простим? Образ войны в культуре и исторической памяти / Олег Барабанов, Константин Пахалюк, Маттиас Уль, 2020. - 44 с. - Текст : непосредственный.Бордачёв Т.В. БРИКС и пандемия соперничества / Тимофей Бордачёв, Виктория Панова, Дмитрий Суслов, 2020. - 24 с. - Текст : непосредственный.Наумкин В.В. Ближний Восток: к архитектуре новой стабильности? / Виталий Наумкин, Василий Кузнецов, 2020. - 20 с. - Текст : непосредственный.Симонов К.В. Политические риски для мировой энергетики: от ресурсного национализма до "молекул свободы" и климатического оружия / Константин Симонов, Алексей Гривач; ответственный редактор Тимофеев И.Н., 2020. - 24 с. - Текст : непосредственный.Глобальная зеленая трансформация: как изменится мир? : доклад международного дискуссионного клуба "Валдай" / Дмитрий Белов, Аграфена Котова, Евгений Кузнецов [и др.], 2021. - 28 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников, 1974. - 190 с. - Текст : непосредственный.Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия) / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров, 1974. - 391 с. - Текст : непосредственный.Оксидные полупроводники в технологии тонкопленочных транзисторов : учебное пособие для обучающихся по техническим направлениям бакалавриата / Министерство образования и науки Российской Федерации, Петрозаводский государственный университет, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный.Куликов И.Н. Методика повышения эффективности использования кластерного оборудования в полупроводниковом производстве на основе имитационных моделей потоков полуфабрикатов : 05.13.06 - Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (машиностроение): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. Н. Куликов, 2019. - 17 с. - Текст : непосредственный.Колесников Н.Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / Н. Н. Колесников, 2017. - 50 с. - Текст : непосредственный.IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing / Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY), Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY). - Журнал выходит с 1988г. r=on-line. - Текст : электронный.Корулин А.В. Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Корулин, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве : учеб. пособие / О. С. Моряков, 1974. - 141 с. - Текст : непосредственный.Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с. - Текст : непосредственный.Беспалов А.В. Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Беспалов, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 145-146 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces IX : 9th Intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS) held in Bruges, Belgium, Sept. 22-24, 2008 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (9th; 2008; Bruges), 2009. - XVI, 400 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 131-133 : Gettering and defect engineering in semiconductor technology XII-GADEST 2007 : proc. of the 12th Intern. autumn meet. EMFCSC, Erice, Italy, Oct. 14-19, 2007 / International autumn meeting "Gettering and defect engineering in semiconductor technology-GADEST 2007" (12th; 2007; Erice), 2008. - XV, 642 p. - Текст : непосредственный.Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 2 : Технологические процессы, 2011. - 908 с. - Текст : непосредственный.Thermal Sensors. Principles and Applications for Semiconductor Industries / ed. Chandra Mohan Jha, 2015 r=on-line. - Текст : электронный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012. - 230 с. - Текст : непосредственный.Технологии получения широкозонных материалов, гетероструктур, диодов на основе карбида кремния и расчет их характеристик : монография / В. И. Алтухов, А. В. Санкин, Р. Х. Дадашев [и др.], 2019. - 104 с. - Текст : непосредственный.Баринов А.Д. Физика и технология неупорядоченных полупроводников : практикум для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и наноэлектроника" / А. Д. Баринов, В. А. Воронцов, Д. А. Зезин, 2018. - 92 с. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess, 2008. - XVI, 432 p. - Текст : непосредственный.Pearton S.J. Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics / S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Claeys C. Extended defects in germanium : fundamental and technological aspects / C. Claeys, E. Simoen, 2009 r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽