• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия) : коллективная монография / В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, А. В. Попкова [и др.] ; Министерство науки и высшего образования РФ, Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова [и др.]. - Владикавказ : СОГУ им. К. Л. Хетагурова, 2023. - 367 с. : ил. - Авт. на обл. не указаны. - Библиогр. в конце гл. - 300 экз. - ISBN 978-5-00081-612-7. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.09621.38-03-047.84

    Рубрики:
    Электронные материалы -- Производство

    Кл.слова (ненормированные): ВЫРАЩИВАНИЕ -- ВЫРАЩИВАНИЕ ИЗ РАСПЛАВА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ОБОРУДОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЛОИ -- ТЕХНОЛОГИИ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
    Аннотация: Рассмотрены теоретические основы и модели процессов роста монокристаллов с использованием теории случайных процессов при разработке систем автоматического управления на основе низкоэнергетических воздействий, обеспечивающих получение монокристаллов высокой однородности. Обобщены основные подходы к модельному описанию роста эпитаксиальных слоёв на основе рассмотрения равновесий фаз многокомпонентных систем, макро- и микрокинетики парофазной эпитаксии элементарных и многокомпонентных полупроводников. Рассмотрено аппаратурное оформление процессов роста кристаллов и эпитаксиальных слоёв. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в получении и исследовании материалов микро- и наноэлектроники, для всех работающих в области разработки новых материалов, оптимизации технологических процессов, а также студентов и аспирантов по направлениям подготовки 04.03.02 "Химия, физика и механика материалов"; 22.03.01 "Материаловедение и технология материалов" и др.
    Доп. точки доступа:
    Косушкин, Виктор Григорьевич
    Кожитов, Лев Васильевич
    Попкова, Алёна Васильевна
    Супельник, Станислав Игоревич
    Силаев, Иван Вадимович
    Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова (Владикавказ)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д11-23/21209)

    Шифр в сводном ЭК: c7159d56bd6fd852a57532ec7185ed2b



    Заказ фрагмента документа ₽