• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Александров, Олег Викторович. Радиационные процессы в микроэлектронике : учебное пособие / О. В. Александров ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2022. - 43 с. : ил. - Библиогр.: с. 42 (14 назв.). - 43 экз. - ISBN 978-5-7629-3023-9. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.33.37621.3.049.76:539.16
    47.13.33621.3.049.76-047.84

    Рубрики:
    Микроэлектронные приборы -- Влияние ионизирующих излучений
    Микроэлектронные приборы -- Производство

    Кл.слова (ненормированные): ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- МОП-СТРУКТУРЫ -- РАДИАЦИОННЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ -- СИСТЕМА КРЕМНИЙ-ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
    Аннотация: Рассмотрено влияние радиационных процессов на элементную базу микроэлектроники (МОП) и биполярные ИМС. Приведён анализ физических процессов при ионизирующем облучении МОП-структур Si-SiO2. Изучаются модели накопления объёмного заряда и поверхностных состояний во время и после ионизирующего облучения. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость МОП и биполярных ИМС. Предназначено для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства" и магистрантов направления 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Радиационные процессы в микроэлектронике".
    Доп. точки доступа:
    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д11-22/6469)

    Шифр в сводном ЭК: e91f7e6e7e082132228faf6a444735ea



    Заказ фрагмента документа ₽