Приложение
для AndroidПолное описание
Савенко, Иван Григорьевич. Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе-Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савенко Иван Григорьевич ; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИПФ СО РАН). - 2021. - 43 с. : ил. - Библиогр.: с. 39-43. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.9(043) | |
| 61.31.52 | 661.666-022.532(043) |
Кл.слова (ненормированные): АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- БОЗЕ-ЭЙНШТЕЙНОВСКАЯ КОНДЕНСАЦИЯ -- КРЕМНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Доп. точки доступа:
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар22-1977)
Шифр в сводном ЭК: f41a9a4b94d122ff6d924e2e92cf2ac8
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Фотоника 2017 / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2017. - 200 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, 2017. - 351 с. - Текст : непосредственный.Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис; пер. с англ. В. М. Ефимова; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Наука из первых рук : периодический научно-популярный журнал / Российская Академия Наук. Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука (Новосибирск). - Журнал выходит с 2004г. - Текст : непосредственный.Свиташёва С.Н. Метод эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов / С. Н. Свиташёва; ответственный редактор О. П. Пчеляков, 2019. - 261, [6] с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Асеев, Александр Леонидович. Наука Сибири на изломе эпох : заметки участника событий / А. Л. Асеев, 2021. - 303 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Астанкова, Ксения Николаевна. Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением : 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Астанкова Ксения Николаевна, 2021. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кожухов, Антон Сергеевич. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кожухов Антон Сергеевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Гайдук, Алексей Евгеньевич. Мультирезонансные поляризационные системы на основе метаповерхностей : 01.04.07 - физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гайдук Алексей Евгеньевич, 2021. - 18, [1] с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Савенко, Иван Григорьевич. Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе-Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савенко Иван Григорьевич, 2021. - 43 с. - Текст : непосредственный.Кремний, 2022, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск : XIV международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе: тезисы докладов, 2022. - 159 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Ольшанецкий, Евгений Борисович. Транспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe : специальность: 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Ольшанецкий Евгений Борисович, 2022. - 36 с. - Текст : непосредственный.Мутилин, Сергей Владимирович. Упорядоченные массивы нанокристаллов диоксида ванадия с обратимым фазовым переходом полупроводник-металл на наноструктурах кремния : 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мутилин Сергей Владимирович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыХилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Алешников А.А. Структура и электрические свойства композитов металл-углерод / А. А. Алешников, 2015. - 17 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Давыдов В.Ю. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ю. Давыдов, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Лоскутов С.А. Релаксация зарядового состояния структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Лоскутов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.Г. Квантовые точки I и II типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дайнека Д.В. Электронные свойства границ раздела Cs/Si и Ba/Si при субмонослойных покрытиях : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Дайнека, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шматко В.А. Электронная, атомная структуры и адсорбционные свойства медьсодержащих нанокомпозитов и одностенных углеродных нанотрубок : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Шматко, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Грайфер Е.Д. Высокорасщепленный графит, графен, их производные и родственные слоистые материалы / Е. Д. Грайфер, 2013. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кулик Л.В. Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Кулик, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Рудаков В.И. Неизотермические процессы в системах на основе кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. И. Рудаков, 1998. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽