• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Данилина, Тамара Ивановна. Современные технологии микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Т. И. Данилина, И. А. Чистоедова ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Изд-во ТУСУРа, 2020. - 339 с. : ил. - (Серия Учебное издание ТУСУРа, 2020). - Библиогр.: с. 334-337 (47 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-86889-903-4. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.13.11621.3.049.76-047.84
    47.13.07621.384-022.532-047.84

    Рубрики:
    Микроэлектронные приборы -- Производство
    Наноэлектронные устройства -- Производство

    Кл.слова (ненормированные): БЫСТРЫЙ ОТЖИГ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- КРЕМНИЕВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- МАСШТАБИРОВАНИЕ -- МЕЖСОЕДИНЕНИЯ -- МЕЖУРОВНЕВАЯ РАЗВОДКА -- МЕТАЛЛЫ -- МИКРОСТРУКТУРЫ -- МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ПЛАНАРИЗАЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ -- СУБМИКРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ
    Аннотация: Представлены современные технологи и производства сверх- и ультрабольших интегральных схем на гетероструктурах и "систем на кристалле". К таким технологиям относятся субмикронная литография, ионное легирование, ионное и плазмохимическое травление наноструктур, атомно-слоевое и плазмохимическое осаждение металлов и диэлектриков. Изложены технологические маршруты формирования СБИС и трехмерного нанотранзистора finFET. Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов, а также студентов, обучающихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника", "Нанотехнология", "Нанотехнология и микросистемная техника". Учебное пособие будет полезно при подготовке магистров по программам "Твердотельная электроника" и "Наногетероструктурная СВЧ-электроника".
    Доп. точки доступа:
    Чистоедова, Инна Анатольевна
    Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-20/88666)

    Шифр в сводном ЭК: c56add487f1b604163102d234c0894d4



    Заказ фрагмента документа ₽