Приложение
для AndroidПолное описание
Мельников, Г. Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени к в форме науч. докл. / Г. Д. Мельников. - Киев, 1990. - 24 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : АН УССР. ИН-т полупроводников. Библиогр.:с. 21-24(18, 3 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2.018.756(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-06568)
Шифр в сводном ЭК: 6f8ef8b3ae3863b0675b312203762fed
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСупрунова Е.Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Ф. Супрунова, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Мельников Г.Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени к в форме науч. докл. / Г. Д. Мельников, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. А. Разумихин, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Милюткин Е.А. Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Милюткин, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А В : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / В. М. Фетисова, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шур М.С. Исследование электрических доменов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.02 / М. С. Шур, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Бабаян А.В. Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.03 / А. В. Бабаян, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чепуров С.В. Сверхбыстродействующие нелинейные элементы на барьере Шоттки в системах синтеза и измерения частот СММ, ИК, видимого диапазонов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / С. В. Чепуров, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Карфул Ризек.Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тарнавский С.П. Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. П. Тарнавский, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Карташова О.А. Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / О. А. Карташова, 1994. - 15 с.950405. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федин И.В. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : специальность 01.04.04 - "Физическая электроника": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. В. Федин, 2019. - 21 с. - Текст : непосредственный.Салихов Х.М. Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Х. М. Салихов, 2010. - 35 с. - Текст : непосредственный.Подчищаева О.В. Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. В. Подчищаева, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Малинин Ю.Г. Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. Г. Малинин, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽