Приложение
для AndroidПолное описание
Мармалюк, А. А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк. - М., 1998. - 24 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 21-24
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592-416.002(043) | |
| 621.383.52.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-сф92)
Шифр в сводном ЭК: 170c2ad875b5d0d159bf25dea5965cc8
Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Мармалюк А.А. Разработка радиотехнической системы дистанционного мониторинга лесных и торфяных пожаров на базе геоинформационных технологий : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.04 / А. А. Мармалюк, 2009. - 21 с. - Текст : непосредственный.Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Р.Х. Акчурин, А. А. Мармалюк, 2018. - 487 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников А В для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк, 2006. - 47 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБорзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Strumpler R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium / R. Strumpler, 1989. - 105 S. - Текст : непосредственный.Грунский Д.И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Д. И. Грунский, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л. / А. А. Новиков, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный.Брунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. Н. Брунков, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.13 / А. Л. Каблуков, 2003. - 26 c. - Текст : непосредственный.Сердобинцев А.А. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сердобинцев, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / У. М. Кулиш, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Болесов И.А. Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. А. Болесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Субашиева Е.А. Численное моделирование течения и роста AIGаAs/GаAs и InGaP/GaAs слоевв горизонтальном газоэпитаксиальном реакторе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.02.05 / Е. А. Субашиева, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Bergmann R.B. Siliziumschichten auf Siliziumdioxid mittels Flussigphasenepitaxie-Herstellung und Charakterisierung von Schichtsystemen : Diss. / R.B.Bergmann, 1991. - 132 S. - Текст : непосредственный.Борисов Б.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Б. А. Борисов, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов, 1999. - 28 с. - Текст : непосредственный.Коробцов В.В. Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / В. В. Коробцов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Патаридзе З.Г. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / З. Г. Патаридзе, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Добрынин А.В. Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. В. Добрынин, 2001. - 34 с. - Текст : непосредственный.Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽