• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Получение нанопористых слоев SiO2 и Si3N4 на кремнии вытравливанием ионных треков / Л. А. Власукова, Ф. Ф. Комаров, В. А. Скуратов, А. Ю. Дидык. - Текст : непосредственный // Радиационная физика твердого тела : тр. XIX Междунар. совещ. (31 авг.-5 сент. 2009 г., Севастополь). - М. : НИИ ПМТ, 2009. - С. 10-16. - Библиогр.: 17 назв.
    ГРНТИ 29.19.33

    Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- нитрид кремния -- диэлектрические материалы
    Аннотация: С помощью химического травления выявлены треки, созданные в аморфных слоях SiO2 и Si3N4 при облучении быстрыми ионами. Изучена морфология пор, сформированных в местах вытравленных треков.
    Доп. точки доступа:
    Власукова, Л.А.
    Комаров, Ф.Ф.
    Скуратов, В.А.
    Дидык, А.Ю.

    Экз-ры полностью 4d836dae3da8c8e097fa65aa60c6c6e9
    Нет сведений об экземплярах
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -708630-305201)

    Шифр в сводном ЭК: 245fe67c733772af67a1e2c1324a6845




    Заказ фрагмента документа ₽