Приложение
для AndroidПолное описание
Чеботарев, С. Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск, 2012. - С. 20-28. - Библиогр.: 10 назв.
ГРНТИ 47.03.05
Аннотация: Описание физических принципов функционирования фотоэлектрических преобразователей с промежуточной подзоной на гетероструктурах с квантовыми точками.
Доп. точки доступа:
Пащенко, А.С.
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -849813-189284)
Шифр в сводном ЭК: 61085eacb895b2bd3c0d9097613a9c6c
Пащенко А.С. Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения / А. С. Пащенко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Наноструктуры АIVВIV и АIIIВV для устройств оптоэлектроники / С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, 2014. - 274 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках (технологические аспекты) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. Н. Чеботарев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Пащенко А.С. Ионно-плазменные технологии в микро- и наноэлектронике / А. С. Пащенко, П. С. Пляка, В. О. Пономаренко, 2013. - 175 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин, 2016. - 253 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 20-28Чеботарев С. Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин, 2016. - 192 с. - Текст : электронный.
IEEE Transactions Magnetics / IEEE. - Журнал. - Текст : непосредственный. Валиев К.А. Физика полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники / К. А. Валиев, А. А. Кокин, 1995. - 111 c. - Текст : непосредственный.Обухов И.А. Неравновесные эффекты как основа функционирования твердотельных электронных приборов / И. А. Обухов, 2014. - 46 с. - Текст : непосредственный.IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 4Pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 4Pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 2Pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 2Pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 5Pt.1. Innovative developments and applications of microelectronics and information technology : монография / Ed. E. Raubold, 1991. - 555 p. - Текст : непосредственный.
IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1995г. Vol. 31 № 1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1995г. Vol. 31 № 2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1995г. Vol. 31 № 3pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1995г. Vol. 31 № 3pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1995г. Vol. 31 № 5. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1998г. Vol. 34 № 4pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1998г. Vol. 34 № 4pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1998г. Vol. 34 № 1pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1998г. Vol. 34 № 1pt.2. IEEE Transactions on Power Electronics / Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York, NY), Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York, NY). - Журнал выходит с 1986г. r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., г. Новочеркасск, 2012. - 108 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 20-28
Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., г. Новочеркасск, 2012. - 108 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Перспективы и проблемы развития наноэлектроники / В. Н. Лозовский. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 11-19.Чеботарев С.Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 20-28
Заказ фрагмента документа ₽