Приложение
для AndroidПолное описание
Лозовский, В. Н. Перспективы и проблемы развития наноэлектроники / В. Н. Лозовский. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск, 2012. - С. 11-19.
ГРНТИ 47.01.11
Аннотация: Наноэлектроника обеспечит всестороннее умножение успехов микроэлектроники. Прогнозируется значительное уменьшение размеров схемных элементов, их энергопотребления, переход к наноэлектронным интегральным схемам (ИНС), многократное увеличение степени их интеграции, быстродействия, памяти. Нa стадии становления новых научно-технических направлений всегда возникают проблемы. Для нанотехнологии проблемы развития особенно масштабны и многочисленны. Их можно условно разделить на технические и социо-гуманитарные.
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -444840-637378)
Шифр в сводном ЭК: d7e2482dc8609b3bfa17529543486c11
Лозовский В.Н. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность : учебное пособие / В. Н. Лозовский, Г. С. Константинова, С. В. Лозовский, 2008. - 327 с. - Текст : непосредственный.Курс физики : Учебник для студентов вузов по техн.спец.и направлениям:В 2-х т. / Под ред.В.Н.Лозовского. Т. 2(2007), 2007. - 590 с. - Текст : непосредственный.Курс физики : Учебник для студентов вузов по техн.спец.и направлениям:В 2-х т. / Под ред.В.Н.Лозовского. Т. 1(2007), 2007. - 572 с. - Текст : непосредственный.
Клюев В.В. Диагностика деталей машин и механизмов : [в 2 ч.]. Ч. 1, 2017. - 175 с. - Текст : непосредственный.Шукшунов В.Е. Фундаментальные основы инженерного образования в XXI веке / В.Е.Шукшунов,В.Н.Лозовский, 2003. - 26 с. - Текст : непосредственный.Кристаллизация и свойства кристаллов : Межвуз. сб. науч. тр / Новочеркас. гос. техн. ун-т, 1993. - 139 c. - Текст : непосредственный.Кристаллизация и свойства кристаллов : Межвуз. сб. науч. тр. / Новочеркас. политехн. ин-т им.С.Орджоникидзе, 1991. - 137 с. - Текст : непосредственный.Клюев В.В. Техническая диагностика деталей летательных аппаратов / В. В. Клюев, В. Н. Лозовский, В. П. Савилов, 2015. - 339 с. - Текст : непосредственный.Кристаллизация и свойства кристаллов : Межвуз. сб. науч. тр. / Южно-рос.гос.техн.ун-т (НПИ), 1999. - 102 с. - Текст : непосредственный.Курс физики / Под ред.В.Н.Лозовского. Т. 2(2009) / В. В. Арсентьев [и др.], 2009. - 600 с. - Текст : непосредственный.Курс физики : Учебник / Под ред.В.Н.Лозовского. Т. 1(2009) / В. В. Арсентьев [и др.], 2009. - 572 с. - Текст : непосредственный.Курс физики : Учебник / В. В. Арсентьев [и др.] ; ред. В. Н. Лозовский. Т. 1, 2006. - 572 с. - Текст : непосредственный.Курс физики : Учебник / В. В. Арсентьев [и др.] ; ред. В. Н. Лозовский. Т. 2, 2006. - 590 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Концепции современного естествознания : Учеб. пособие для студентов вузов / В.Н.Лозовский,С.И.Лозовский, 2001. - 222 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Фундаментализация высшего технического образования : Прикл. аспекты / В. Н. Лозовский, В. Е. Шукшунов, Н. И. Сысоев, 2002. - 5 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Концепции современного естествознания : Учебное пособие / В.Н.Лозовский,С.В.Лозовский, 2004. - 224 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Надежность гидравлических агрегатов / В. Н. Лозовский, 1974. - 319 с. - Текст : непосредственный.Кристаллизация и свойства кристаллов : Межвуз. сб. науч. тр. / Юж.-Рос. гос.техн. ун-т (Новочеркас. политехн. ин-т), 2003. - 137 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Современные проблемы радиоэлектроники : сборник научных трудов / Сибирский федеральный ун-т (Красноярск), 2007. - 678 с. - Текст : непосредственный.Elektronik. - Журнал выходит с 1952г. - Текст : непосредственный.Electronics Magazine. - Журнал выходит с 1956г. - Текст : непосредственный.Sanyo Technical Review. - Журнал. - Текст : непосредственный.Onde Electrique. - Журнал выходит с 1922г. - Текст : непосредственный. Electronics. - Журнал выходит с 1961г.Tijdschrift Nederlands Elektronica<-en> Radiogenootschap. - Журнал. - Текст : непосредственный. Journal Electrical Electronics Engineering,Australia. - Журнал. - Текст : непосредственный. Elektronik<->Report. - Журнал. - Текст : непосредственный.Elektor. - Журнал выходит с 1970г. - Текст : непосредственный.Elektronik. - Журнал, 1995г. т. 44 № 12.Elektronik. - Журнал, 1997г. т. 46 № 15.Elektronik. - Журнал, 1997г. т. 46 № 22.Elektronik. - Журнал, 1999г. т. 48 № 3.Elektronik. - Журнал, 1999г. т. 48 № 22.Elektronik. - Журнал, 1998г. т. 47 № 25.Elektor. - Журнал, 1998г. т. 29 № 11.Сальников А.Г. Механизм повышения эффективности инновационной деятельности предприятий радиоэлектронной промышленности / А. Г. Сальников, 2010. - 24 с. - Текст : непосредственный.Elektronik. - Журнал, 1996г. т. 45 № 22.Elektronik. - Журнал, 1996г. т. 45 № 2.
Показать все результатыФизика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., г. Новочеркасск, 2012. - 108 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Перспективы и проблемы развития наноэлектроники / В. Н. Лозовский. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 11-19.
Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., г. Новочеркасск, 2012. - 108 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.Н. Перспективы и проблемы развития наноэлектроники / В. Н. Лозовский. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 11-19.Чеботарев С.Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 20-28
Заказ фрагмента документа ₽