Приложение
для AndroidПолное описание
Орлов, А. М. Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие / А. М. Орлов, Б. М. Костишко, А. А. Скворцов. - Ульяновск : [б. и.], 2001. - 369 с. : ил. - 200 экз. - Текст : непосредственный.
В надзаг.:Ульяновск. гос. ун-т. Библиогр.: с.364-366
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382.002 | |
| 621.3.049.77-047.84 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Производство
Интегральные схемы -- Производство
Кл.слова (ненормированные): ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР -- ПРОИЗВОДСТВО -- производство
Доп. точки доступа:
Костишко, Б.М.
Скворцов, А.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-01/74084)
Шифр в сводном ЭК: 0c2d7640a27e1656444cb5a065e24e21
Скворцов А.А. Разработка методики виброакустической диагностики ведущих мостов легковых автомобилей для бортовой системы диагностирования агрегатов трансмиссии / А. А. Скворцов, 2014. - 27 с. - Текст : непосредственный.Скворцов А.А. Высокотемпературные электротранспортные процессы в полупроводниковых структурах с участием жидкой среды : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канед.физ.-мат.наук / А. А. Скворцов, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Материалы для отделки крупноэлементных зданий : сборник / Ред. А. М. Орлов, 1965. - 113 с.,1 л.ил. с.,1 л.ил. - Текст : непосредственный.Ковшов А.Н. Теоретические основы технологии машиностроения : учебное пособие / А. Н. Ковшов, А. В. Скворцов, А. А. Скворцов, 2008. - 388 с. - Текст : непосредственный.Скворцов А.А. Закономерности влияния термомагнитной обработки на демпфирующие, магнитные свойства и структуру демпфирующих сплавов железа с магнитомеханическим затуханием / А. А. Скворцов, 2005. - 14 с. - Текст : непосредственный.Скворцов А.А. Динамический поиск в выпуклых областях и его визуализация : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Скворцов, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Акименко А. Д. Нагревательные печи и устройства в кузнечно-штамповочных и термических цехах : Учеб. пособие для студентов металлург. и машиностроит. спец. Ч. 2, 2000. - 252 с. - Текст : непосредственный.
Скворцов А. А. Возмещение убытков пользователям со стороны производителей программных продуктов и испонителей информационных услуг SaaS (software as service), доступных посредством сети Интернет / А. А. Скворцов. - Текст : непосредственный // Библиотеки и просвещение в области прав потребителей. Тема 2009 года: Защита прав потребителей современных информационных продуктов и услуг : материалы 4-го Всерос. научно-практ. семинара, Москва, 26 ноября 2009 г. - М. : РГБ, 2010. - с. 29-47Орлов А.М. Поведение платиновых металлов в процессе электрорафинирования медных анодов / А. М. Орлов, О. В. Завельева, Л. П. Житенко, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Производство, анализ и применение благородных металлов и алмазов : Сб.науч.тр. / Гос.Центр.н.-и.проект.и конструкт.ин-т драгоцен.металлов и алмазов(Гиналмаззолото), 1992. - 172 с. - Текст : непосредственный.Костишко Б.М. Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Костишко, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Скворцов А.А. Влияние магнитных полей на релаксацию метастабильных дефектов в полупроводниках / А. А. Скворцов, М. В. Корячко, 2016. - 124 с. - Текст : непосредственный.Скворцов А.А. Формирование системы управления проектом развития территории по девелоперской модели : Препринт / А.А.Скворцов, 2002. - 36 с. - Текст : непосредственный.Орлов А.М. Управление аналитическим обеспечением химических производств на основе процессного подхода : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / А. М. Орлов, 2003. - 18 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЧебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Семенов Ю.Г. Контроль качества / Ю. Г. Семенов, 1990. - 111 c. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Белов И.А. Моделирование гидромеханических процессов в технологии изготовления полупроводниковых приборов и микросхем / И. А. Белов, В. А. Шеленшкевич, Л. И. Шуб, 1991. - 288 с. - Текст : непосредственный.Мальвинова О.В. Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. В. Мальвинова, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гонов С.Ж. Особенности воздействия милли- и наносекундного лазерного излучения на полупроводниковые материалы твердотельной электроники : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. Ж. Гонов, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пиганов М.Н. Методы и средства контроля полупроводниковых и диэлектрических материалов и структур : учебное пособие / М. Н. Пиганов, Н. Т. Кузнецов, 2009. - 118 с. - Текст : непосредственный.Котляров Ю.В. Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Ю. В. Котляров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Обвинцев О.А. Повышение качества поверхности полупроводникового кремния при лезвийной обработке с помощью дополнительного деформирования срезаемого слоя : специальность 05.03.01 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. А. Обвинцев, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Papers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.Crucial issues in semiconductor materials and processing technologies : материалы временных коллективов / Ed. S. Coffa, 1992. - XIX,538 p. p. - Текст : непосредственный.Sauter K.D. Werkstuckbegleitender Informationsspeicher als Basis f:ur ein informations-technischer Konzept f:ur Halbleiterfertigungen : материал технической информации / K. D. Sauter, 1990. - 115 S. - Текст : непосредственный.Прудаев И.А. Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr / И. А. Прудаев, 2009. - 19 с. - Текст : непосредственный.Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : специальность 05.27.07 "", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽